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"HBM"
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미국이 HBM 공급망을 자국 중심으로 재편하기 위해 삼성전자와 SK하이닉스에 투자 압박을 가하고 있다.
반면 미국 기업인 마이크론은 아시아 생산 거점을 추가 확보하여 경쟁 우위를 확보하고 있다.
미국 정부가 HBM 패권 경쟁에 직접 개입하여 자국 기업에 유리한 환경을 조성하고 있다.
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삼성전자의 6세대 10나노급 '1c' DRAM 수율이 60%에 도달하여 손익분기점을 넘어섰다.
1c DRAM은 삼성전자의 차세대 고대역폭 메모리(HBM4)의 핵심 부품이다.
이는 HBM 시장에서 삼성전자의 경쟁력을 강화하는 데 기여할 것으로 예상된다.
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삼성전자의 차세대 고대역폭메모리(HBM4)에 적용되는 1c D램 수율이 60%까지 개선되었다.
D램 양산에서 손익분기점을 넘는 수율을 확보하여 HBM4 양산 확대의 기반을 마련했다.
수율보다 속도를 우선한 삼성전자의 전략적 판단이 성공적인 결과를 가져왔다는 평가가 있다.
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Imec은 GPU 위에 HBM을 3D로 쌓는 것이 GPU 작동 온도를 두 배로 높여 작동 불능 상태로 만들 수 있음을 시뮬레이션을 통해 확인했다.
첨단 열 시뮬레이션을 통해 GPU 설계의 한계를 탐구했다.
엔지니어링 최적화를 통해 문제를 해결할 수 있는 가능성을 제시했다.
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