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Samsung Electronics’ 1c DRAM yield reaches 60%, clears breakeven point
삼성전자의 6세대 10나노급 '1c' DRAM 수율이 60%에 도달하여 손익분기점을 넘어섰다. 1c DRAM은 삼성전자의 차세대 고대역폭 메모리(HBM4)의 핵심 부품이다. 이는 HBM 시장에서 삼성전자의 경쟁력을 강화하는 데 기여할 것으로 예상된다.
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